¹ÝµµÃ¼»ç¾÷´ã´ç, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °³¹ß ¿¬±¸Á÷ °æ·ÂÁ÷ ä¿ë ÁøÇà
ģȯ°æÂ÷ Àü·Âº¯È¯½Ã½ºÅÛÀÇ ÇÙ½É ¼ÒÀÚ¸¦ °³¹ßÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼»ç¾÷´ã´çÀÌ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °³¹ß ºÐ¾ß ¿¬±¸Á÷ °æ·ÂÁ÷ ä¿ëÀ» ÁøÇàÇÑ´Ù. ÀÌ Á¶Á÷Àº SiC MOSFET, IGBT µî Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ¿¬±¸ ¹× °³¹ßÀ» ÇÙ½É ¿ªÇÒ·Î »ï°í ÀÖÀ¸¸ç, Àü±â¡¤ÀüÀÚ°øÇÐ ¹× ¹ÝµµÃ¼°øÇÐ Àü°øÀÚ¸¦ Áß½ÉÀ¸·Î ¹°¸®¡¤Àç·á µî ´Ù¾çÇÑ Àü°ø ¹è°æÀÇ ÀηÂÀÌ ÇÔ²² ½Ã³ÊÁö¸¦ ³»°í ÀÖ´Â ÆÀÀÌ´Ù.
À̹ø¿¡ ä¿ëÇÏ´Â Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °³¹ß Á÷¹«¿¡¼´Â SiC MOSFET, IGBT µî Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ °³¹ßÀ» ºñ·ÔÇØ ½Å±â¼úÀ» Ȱ¿ëÇÑ ½ÅÁ¦Ç° ¼³°è ¹× °³¹ßÀ» ´ã´çÇÏ°Ô µÈ´Ù. ¶ÇÇÑ Á¦Ç° °³¹ß ¸ñÇ¥ Ư¼º ¹× »ç¾çÀ» Á¤ÀÇÇÏ°í °ü·Ã ºÎ¼¿Í ÇùÀÇÇÏ´Â °úÁ¤¿¡ Âü¿©Çϸç, Á¦Ç° °³¹ß°ú °ËÁõ °èȹÀ» ¼ö¸³ÇÏ°í ½ÇÇàÇÏ´Â ¿ªÇÒµµ ¸Ã°Ô µÈ´Ù. ¾Æ¿ï·¯ ½ÅÁ¦Ç°ÀÇ ¼ÒÀÚ ¼öÁØ Å×½ºÆ® ¹× °ËÁõ ¾÷¹«±îÁö Àü¹ÝÀûÀÎ °³¹ß »çÀÌŬÀ» °æÇèÇÏ°Ô µÈ´Ù.
Áö¿øÀ» À§Çؼ´Â ÇØ´ç ºÐ¾ß¿¡¼ 5³â ÀÌ»óÀÇ °æ·ÂÀÌ ¿ä±¸µÇ¸ç, ¼®»ç Á¹¾÷ÀÚÀÇ °æ¿ì 3³â ÀÌ»óÀÇ °æ·ÂÀ» º¸À¯Çϰí ÀÖ¾î¾ß ÇÑ´Ù. Àü±âÀüÀÚ¡¤¹ÝµµÃ¼¡¤Àç·á°øÇÐ °ü·Ã Àü°øÀÚÀ̰ųª Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Å×Å© °³¹ß °æÇèÀÌ ÀÖ´Â Áö¿øÀÚ¸¦ ¿ì´ëÇϸç, ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼ ¶Ç´Â Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½Ç¸®ÄÜ ¼ÒÀÚ °³¹ß °æÇèÀÚµµ ¿ì´ë ´ë»ó¿¡ Æ÷ÇԵȴÙ.
±Ù¹«Áö´Â °³²¿¬±¸¼ÒÀ̸ç, ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº ÇØ´ç ±â¾÷ÀÇ Ã¤¿ë ȨÆäÀÌÁö¿¡¼ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.